- Sections
- G - Physique
- G03F - Production par voie photomécanique de surfaces texturées, p.ex. pour l'impression, pour le traitement de dispositifs semi-conducteurs; matériaux à cet effet; originaux à cet effet; appareillages spécialement adaptés à cet effet
- G03F 1/74 - Réparation ou correction des défauts dans un masque par un faisceau de particules chargées [CPB charged particle beam], p.ex. réparation ou correction de défauts par un faisceau d'ions focalisé
Détention brevets de la classe G03F 1/74
Brevets de cette classe: 91
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Carl Zeiss SMT GmbH | 2646 |
29 |
| Hoya Corporation | 2822 |
14 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
9 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
5 |
| Hitachi High-Tech Science Corporation | 326 |
3 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1282 |
3 |
| Toppan Photomask Co., Ltd. | 56 |
3 |
| Intel Corporation | 45621 |
2 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
2 |
| Carl Zeiss SMS Ltd. | 44 |
2 |
| D2s, Inc. | 150 |
2 |
| V Technology Co., Ltd. | 394 |
2 |
| ASML Netherlands B.V. | 6816 |
1 |
| Bruker Nano, Inc. | 334 |
1 |
| Carl Zeiss SMS GmbH | 56 |
1 |
| IMS Nanofabrication GmbH | 56 |
1 |
| KLA-Tencor Corporation | 2574 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation | 1019 |
1 |
| Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation | 1764 |
1 |
| SII NanoTechnology Inc. | 25 |
1 |
| Autres propriétaires | 7 |